BSR802N L6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSR802N L6327
|
|
حجم فایل
|
62.875
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSR802N L6327
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Continuous Drain Current (Id):
3.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
750mV@30uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
23mΩ@2.5V,3.7A
-
Package:
SC-59-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
